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STF80N240K6-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为200mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性和高温工作能力。适用于高效率的功率转换电路，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的能量变换模块以及高功率密度的交直流转换设备，适合在高电压、高频率工作环境下实现低损耗运行。
- 商品型号
- STF80N240K6-HXY
- 商品编号
- C52145240
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |