SIHA21N80AE-GE3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至200mΩ，可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，确保栅极驱动的稳定性与安全性。基于碳化硅材料的特性，器件具备出色的开关速度和热导性能，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用包括大功率开关电源、高压直流变换器、太阳能发电逆变单元、储能系统的功率调节模块以及高密度电源适配设备，适合在高电压和高温环境下长期稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHA21N80AE-GE3-HXY

商品编号

C52145241

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)