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FCPF220N80-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的开关操作。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的耐压性能和热稳定性，可有效降低开关损耗。典型应用包括高频率直流-直流变换器、高压电源模块、可再生能源发电系统的逆变电路以及高密度电源适配器等，适合对功率密度和转换效率有较高要求的场景。
- 商品型号
- FCPF220N80-HXY
- 商品编号
- C52145239
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |