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IPA65R150CFDXKSA2-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源耐压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高温工作性能和开关特性，适用于高功率密度电源系统。常见于高效直流-交流逆变装置、高压直流变换拓扑及高频开关电源模块中，可提升系统效率并减少散热设计负担。
- 商品型号
- IPA65R150CFDXKSA2-HXY
- 商品编号
- C52145236
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |