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IXTP24N65X2M-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐量高
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V，确保栅极驱动的稳定性与器件可靠性。依托碳化硅材料优势，该器件支持高频开关操作，具备较低的开关损耗与优异的热性能。适用于高效率开关电源、高压直流变换器、光伏逆变装置及高功率密度电源模块等应用，尤其适合对能效、功率密度和散热管理有较高要求的电力电子系统设计。
- 商品型号
- IXTP24N65X2M-HXY
- 商品编号
- C52145232
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ |