R6530ENXC7G-HXY

R6530ENXC7G-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性，器件支持高频工作，同时降低开关损耗与热耗散。典型应用于高效开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变系统及高密度电源模块，适合对功率密度与能效有较高要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6530ENXC7G-HXY

商品编号

C52145230

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)