IXFP22N65X2M-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于减少导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高频开关能力，同时降低开关过程中的能量损耗与温升。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压直流变换装置、可再生能源发电中的逆变单元以及高功率密度电源模块，满足对系统效率和散热性能有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXFP22N65X2M-HXY

商品编号

C52145231

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.95克(g)