CDMSJ22029-650SL-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持可靠驱动与负压关断，提升系统稳定性。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能和快速开关能力，适用于高频率、高效率的电力转换电路。广泛用于高性能电源模块、可再生能源发电单元、服务器电源系统及对功率密度和热管理要求较高的电力电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CDMSJ22029-650SL-HXY

商品编号

C52145226

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.91克(g)