STF30N65M5-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，确保可靠的开关控制与稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高频开关性能和高温工作能力，可有效降低系统热损耗。典型应用包括高密度电源转换器、可再生能源发电设备中的逆变电路、不间断电源系统以及高要求的开关电源模块，适合对功率密度和能效有严格要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF30N65M5-HXY

商品编号

C52145227

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.89克(g)