STD10NM65N-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐压能力与热导性能，适用于高频率、高效率的开关电源、直流电压变换电路及可再生能源发电系统中的功率转换模块，有助于提升系统功率密度并减少能量损耗。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD10NM65N-HXY

商品编号

C52145212

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.436克(g)