STD10N60DM2-HXY

STD10N60DM2-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特性与热稳定性。器件利用碳化硅材料优势，支持高频工作，降低开关损耗，适用于高密度电源系统，如高效能适配器、服务器电源模块及可再生能源逆变装置，能够在严苛环境下保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD10N60DM2-HXY

商品编号

C52145214

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)