IPD65R600C6BTMA1-HXY

SiC功率N沟道增强型MOSFET，具备高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，支持-4V至+18V的栅源电压范围（VGS）。器件基于碳化硅材料，具备优异的耐压性能与热导特性，开关速度快，反向恢复损耗低。适用于高效率、高频率的功率变换应用，如大功率开关电源、高密度DC-DC转换器、光伏逆变模块及储能系统中的功率级设计，有助于提升能效并减小系统体积。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R600C6BTMA1-HXY

商品编号

C52145216

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.444克(g)