IPAN60R125PFD7SXKSA1-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用性

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的驱动控制。得益于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力及较低的反向恢复电荷，适用于高功率密度与高能效要求的电力电子设计。典型应用涵盖高效电源转换模块、高压直流变换装置及可再生能源发电系统中的功率调节单元。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPAN60R125PFD7SXKSA1-HXY

商品编号

C52145224

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.82克(g)