IPA65R125C7XKSA1-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐受

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，确保了器件在复杂工况下的稳定控制与可靠性。采用宽禁带半导体材料，具备优异的开关特性与高温工作能力，可显著降低开关损耗。典型应用于高密度电源、可再生能源逆变系统、高端开关电源及要求严苛的电力电子变换装置中，适合对热管理和空间布局有高要求的设计场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R125C7XKSA1-HXY

商品编号

C52145225

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)