FCPF125N65S3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关能力、高温稳定性及较低的反向恢复电荷。适用于高效率、高功率密度的电源系统，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率转换模块，以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电力电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF125N65S3-HXY

商品编号

C52145221

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)