IPA60R125CPXKSA1-HXY

IPA60R125CPXKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和高温工作能力，适用于高功率密度电源系统。典型应用包括高效直流-交流逆变装置、高压直流电源转换模块及可再生能源发电系统的功率级设计，适合对能效和热管理有较高要求的电力电子场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA60R125CPXKSA1-HXY

商品编号

C52145223

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.93克(g)