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NTPF125N65S3H-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少功率损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低导通特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能与热稳定性。适用于高效率电源转换系统，如大功率适配器、服务器电源模块、可再生能源发电单元及高性能逆变设备，尤其适合对散热设计和空间利用率有较高要求的紧凑型电子装置。
- 商品型号
- NTPF125N65S3H-HXY
- 商品编号
- C52145222
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
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