NTPF125N65S3H-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻

描述

本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少功率损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低导通特性，该器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能与热稳定性。适用于高效率电源转换系统，如大功率适配器、服务器电源模块、可再生能源发电单元及高性能逆变设备，尤其适合对散热设计和空间利用率有较高要求的紧凑型电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTPF125N65S3H-HXY

商品编号

C52145222

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.81克(g)