IPA65R110CFD-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定栅极控制，增强开关可靠性。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能、耐高压能力和快速开关响应，适用于高频率、高功率密度的电路设计。广泛用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、高压直流变换模块及高性能电力电子设备中，满足对热管理与能效表现要求较高的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R110CFD-HXY

商品编号

C52145219

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.8克(g)