IPA65R110CFDXKSA1-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至+18V，确保了器件在复杂工况下的稳定驱动与安全工作。采用宽禁带半导体材料，具有优异的开关特性与高温工作能力，可有效降低系统热耗散负担。典型应用包括高密度电源转换、高频DC-DC变换器及高性能逆变模块，适合对功率密度与能效有严苛要求的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R110CFDXKSA1-HXY

商品编号

C52145220

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)