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IPA60R120P7-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，支持-4V至+18V的栅源电压范围。器件利用碳化硅材料的高临界电场特性，具备优异的开关速度与高温工作稳定性。相比传统硅基器件，其开关损耗显著降低，适用于高频率、高效率的功率转换电路。典型应用场景包括大功率开关电源、高效DC-DC变换器、储能系统中的逆变单元及高密度电源模块，有助于提升系统能效与功率密度。
- 商品型号
- IPA60R120P7-HXY
- 商品编号
- C52145217
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
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