NTPF110N65S3HF-HXY

NTPF110N65S3HF-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流可达24A，导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作能力、耐压性能及快速开关响应，适用于高频率、高效率的功率变换拓扑。常见于高性能电源转换装置、可再生能源发电单元、数据中心电源系统及高压直流变换设备中，适用于对能效和热管理要求较高的应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTPF110N65S3HF-HXY

商品编号

C52145218

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.79克(g)