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R6509KND3TL1-HXY
R6509KND3TL1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频工作，有效降低开关损耗，适用于高密度电源系统，如高效开关电源、DC-DC转换模块及高功率密度适配器等场景，可提升系统整体能效与可靠性。
- 商品型号
- R6509KND3TL1-HXY
- 商品编号
- C52145215
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
参数完善中
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