R6509KND3TL1-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频工作，有效降低开关损耗，适用于高密度电源系统，如高效开关电源、DC-DC转换模块及高功率密度适配器等场景，可提升系统整体能效与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6509KND3TL1-HXY

商品编号

C52145215

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.44克(g)