IXTY8N65X2-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容、雪崩耐用

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为460mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频开关电源、高效直流-直流转换器、光伏逆变装置及高功率密度电源模块等应用，可在高电压、高温环境下保持良好性能，有效减少能量损耗并优化热管理设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXTY8N65X2-HXY

商品编号

C52145213

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.444克(g)