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DMPH6250S-7-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 该P沟道场效应管具有60V的漏源耐压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）为115mΩ，可在较低栅极驱动电压下实现稳定导通。其P沟道特性适用于高边开关配置，有助于简化驱动电路设计。器件常用于电源开关、电池供电设备的电源管理模块、直流电源转换电路以及负载控制应用，适合对空间和能效有一定要求的便携式电子产品和通用电子设备中的功率控制场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMPH6250S-7-HXY
商品编号: C51949330
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

DMPH6250S-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。