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DMTH10H005SCT-HXY
DMTH10H005SCT-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻典型值为4.1mΩ，在高电流工作条件下可有效降低导通损耗，减少发热。其低RDON与高电流承载能力使其适用于对效率和热性能要求较高的开关电源系统。广泛用于大功率DC-DC转换器、高性能电源模块、电池管理系统及电机驱动电路，有助于提升系统能效与功率密度，是实现高效电能转换与控制的关键功率器件。
- 商品型号
- DMTH10H005SCT-HXY
- 商品编号
- C51949345
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.120408克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
DMTH10H005SCT采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.0 mΩ
- N沟道MOSFET
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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