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SPW35N60C3-HXY

超结功率MOSFET，采用超结技术，低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用

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描述: 该N沟道场效应管具有650V的漏源耐压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。高耐压特性使其适用于中高压功率转换场景，能够承受较大的电压应力。低导通电阻在大电流工作条件下可减少发热，提高系统热稳定性。该器件可应用于开关电源、逆变装置、电机驱动模块及高效率DC-AC转换电路，适合对功率密度、转换效率和运行可靠性有较高要求的电子产品设计，为复杂电源架构提供有效的开关控制支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SPW35N60C3-HXY
商品编号: C51949358
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.64克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

SPW35N60C3采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 SPW35N60C3符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,并通过全功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%雪崩能量耐量保证
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅超级结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V