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HXYG400N06L

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管导通电阻低至1.25mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景，结合较高的电流承载能力，适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。器件参数设计注重热稳定性与开关性能，可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HXYG400N06L
商品编号: C51949365
商品封装: TOLL-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.963158克(g)

商品参数

HXYG400N06L采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具有更好的耐用性。