HXYG400N06L

HXYG400N06L

描述

该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和高达400A的持续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.25mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景，结合较高的电流承载能力，适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。器件参数设计注重热稳定性与开关性能，可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HXYG400N06L

商品编号

C51949365

商品封装

TOLL-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.963158克(g)