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HXYG400N06L
HXYG400N06L
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和高达400A的持续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.25mΩ，有助于减少功率损耗并提升系统效率。其低RDON特性使其适用于处理大电流的应用场景，结合较高的电流承载能力，适合用于电源管理、直流变换、电机驱动及高密度功率转换电路中。器件参数设计注重热稳定性与开关性能，可满足对效率和紧凑布局有要求的高性能电子设备需求。
- 商品型号
- HXYG400N06L
- 商品编号
- C51949365
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.963158克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
HXYG400N06L采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 400V,漏极电流ID = 60A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 1.55mΩ
应用领域
- 电池保护
- 电源分配
- N沟道MOSFET
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