温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS6B05NLT1G-HXY
NVMFS6B05NLT1G-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这是一款N沟道场效应管，具有85V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率密度设计。其导通电阻低至4.3mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于大电流开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及高效率电源转换模块等场景，是实现高效功率控制的理想选择之一。
- 商品型号
- NVMFS6B05NLT1G-HXY
- 商品编号
- C51949360
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NVMFS6B05NLT1G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 85 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.6 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流同步整流应用