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NVMFS6B05NLT1G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 这是一款N沟道场效应管，具有85V的漏源电压（VDSS）和100A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率密度设计。其导通电阻低至4.3mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和开关特性，适合用于大电流开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及高效率电源转换模块等场景，是实现高效功率控制的理想选择之一。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVMFS6B05NLT1G-HXY
商品编号: C51949360
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.152克(g)

商品参数

NVMFS6B05NLT1G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性和适用性。