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DMP2037U-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和7A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为20mΩ，适用于中低功率电源管理电路。其P沟道结构便于在高边开关应用中实现简洁的驱动设计，具备良好的开关响应特性和热稳定性。器件常用于电池供电设备的电源控制、便携式电子产品中的负载开关、直流电压转换模块以及各类低电压、中等电流的开关电路，适合对空间和能效有一定要求的嵌入式系统与消费类电子应用。
- 商品型号
- DMP2037U-13-HXY
- 商品编号
- C51949362
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.7V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
DMP2037U - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -7.0 A
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 28 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET