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HXYG500N06L
HXYG500N06L
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和高达500A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至0.9mΩ，适用于大电流、高效率的功率开关应用。其超低内阻显著降低导通损耗，有助于提升系统热稳定性与能效表现。N沟道设计配合适当的栅极驱动可实现快速开关响应，适合用于高功率直流电源转换、大电流负载开关及同步整流电路。器件优异的功率处理能力，适用于对电流密度和空间布局有较高要求的高性能电子系统。
- 商品型号
- HXYG500N06L
- 商品编号
- C51949364
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.946克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
HXYG500N06L采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 500A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 1.2mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- N沟道MOSFET
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