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HXYG500N06L

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）和高达500A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至0.9mΩ，适用于大电流、高效率的功率开关应用。其超低内阻显著降低导通损耗，有助于提升系统热稳定性与能效表现。N沟道设计配合适当的栅极驱动可实现快速开关响应，适合用于高功率直流电源转换、大电流负载开关及同步整流电路。器件优异的功率处理能力，适用于对电流密度和空间布局有较高要求的高性能电子系统。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HXYG500N06L
商品编号: C51949364
商品封装: TOLL-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.946克(g)

商品参数

HXYG500N06L采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。