HXYG350N10L

HXYG350N10L

描述

该N沟道场效应管具备100V的漏源电压（VDSS）和高达350A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.2mΩ，适用于高功率密度开关应用。其低内阻有效减少导通损耗，提升系统整体能效。N沟道结构在栅极驱动配合下可实现快速开关响应，适合用于大电流电源转换、直流电机驱动及高效率同步整流电路。器件优异的热性能和电流承载能力，支持紧凑型电源模块设计，满足对功率与空间要求严苛的高性能电子设备需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HXYG350N10L

商品编号

C51949363

商品封装

TOLL-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.943333克(g)