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HXYG350N10L
HXYG350N10L
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V的漏源电压（VDSS）和高达350A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.2mΩ，适用于高功率密度开关应用。其低内阻有效减少导通损耗，提升系统整体能效。N沟道结构在栅极驱动配合下可实现快速开关响应，适合用于大电流电源转换、直流电机驱动及高效率同步整流电路。器件优异的热性能和电流承载能力，支持紧凑型电源模块设计，满足对功率与空间要求严苛的高性能电子设备需求。
- 商品型号
- HXYG350N10L
- 商品编号
- C51949363
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.943333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
HXYG350N10L采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 350 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2 mΩ
应用领域
-电池保护-电源分配
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