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HXYG350N10L

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描述: 该N沟道场效应管具备100V的漏源电压（VDSS）和高达350A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至1.2mΩ，适用于高功率密度开关应用。其低内阻有效减少导通损耗，提升系统整体能效。N沟道结构在栅极驱动配合下可实现快速开关响应，适合用于大电流电源转换、直流电机驱动及高效率同步整流电路。器件优异的热性能和电流承载能力，支持紧凑型电源模块设计，满足对功率与空间要求严苛的高性能电子设备需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HXYG350N10L
商品编号: C51949363
商品封装: TOLL-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.943333克(g)

商品参数

HXYG350N10L采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。

-电池保护-电源分配