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IPT022N10NF2SATMA1-HXY
N-SGT增强模式MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率应用场景。其超低导通电阻仅为2mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具有优良的开关特性和热稳定性，可支持大电流快速切换。典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路，适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。
- 商品型号
- IPT022N10NF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949361
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IPT022N10NF2SATMA1采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 300A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 2.6mΩ
应用领域
- 电池保护
- 电源分配
- N沟道MOSFET