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IPT022N10NF2SATMA1-HXY
IPT022N10NF2SATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，适用于高功率应用场景。其超低导通电阻仅为2mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具有优良的开关特性和热稳定性，可支持大电流快速切换。典型应用包括高性能电源转换系统、大功率直流变换器、储能设备中的功率控制单元以及高电流电机驱动电路，适合对功率密度和效率有较高要求的复杂电子系统。
- 商品型号
- IPT022N10NF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949361
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.05克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IPT022N10NF2SATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更高的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 300A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 2.6mΩ
应用领域
- 电池保护
- 电源分配
- N沟道MOSFET