- 引脚图
型号：IPT022N10NF2SATMA1-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：N-SGT增强模式MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的IPT022N10NF2SATMA1-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。IPT022N10NF2SATMA1-HXY参考售价为7.35元起，现货库存数量486个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
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