温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI3441DV-HXY
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该P沟道场效应管具有20V的漏源耐压（VDSS）和3A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至60mΩ。较低的耐压值适用于低电压供电环境，能够有效控制功率损耗。60mΩ的低导通电阻在小电流负载下可减少发热，提升能效表现。器件采用P沟道设计，适合用于电源开关、负载切换、电池供电管理及极性反转保护等电路，常见于便携式电子设备和直流电源分配系统中，为低压直流应用提供可靠的开关与保护功能。
- 商品型号
- SI3441DV-HXY
- 商品编号
- C51949359
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
SI3441DV采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -3A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 80mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源