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NTHL082N65S3F-HXY
NTHL082N65S3F-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高电压应力，适用于高压工作环境。在导通状态下，其典型导通电阻仅为75mΩ，有助于减少功率损耗并提升能效。器件支持43A的连续漏极电流，具备较强的大电流开关能力。常用于开关电源、逆变电路、电机控制及高效率电源转换模块中。凭借高电压耐受性、低导通电阻与大电流承载能力，适合对热性能和电气稳定性要求较高的电路设计，有助于实现紧凑且高效的功率系统布局。
- 商品型号
- NTHL082N65S3F-HXY
- 商品编号
- C51949350
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.88克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTHL082N65S3F采用超结技术设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用中AC-DC开关电源（SMPS）的要求。 NTHL082N65S3F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的沟槽栅极超结技术