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NTHL082N65S3F-HXY

采用超结技术的功率MOSFET，具备低栅极电荷和优秀的RDS(ON)，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用

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描述: 该N沟道MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高电压应力，适用于高压工作环境。在导通状态下，其典型导通电阻仅为75mΩ，有助于减少功率损耗并提升能效。器件支持43A的连续漏极电流，具备较强的大电流开关能力。常用于开关电源、逆变电路、电机控制及高效率电源转换模块中。凭借高电压耐受性、低导通电阻与大电流承载能力，适合对热性能和电气稳定性要求较高的电路设计，有助于实现紧凑且高效的功率系统布局。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTHL082N65S3F-HXY
商品编号: C51949350
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.88克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

NTHL082N65S3F采用超结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用中AC-DC开关电源(SMPS)的要求。 NTHL082N65S3F符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%雪崩能量耐量(EAS)保证
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅极超结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V