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NTHL095N65S3HF-HXY
NTHL095N65S3HF-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压工作环境。在导通状态下，其漏源导通电阻仅为75mΩ，有助于降低功率损耗并提升能效。连续漏极电流达43A，支持大电流持续输出。该器件适合应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率电源模块中，满足对热性能与电气稳定性要求较高的设计需求，是实现高频、高压与大电流操作的常用选择之一。
- 商品型号
- NTHL095N65S3HF-HXY
- 商品编号
- C51949353
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.76克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTHL095N65S3HF采用超级结技术设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。 NTHL095N65S3HF符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的沟槽栅超级结技术