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IXFH34N65X3-HXY

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描述: 本款N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可稳定工作于较高电压环境，适用于高压开关电路。其连续漏极电流（ID）可达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件在高耐压与低导通损耗之间实现良好平衡，适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备、高功率适配器及电力输送管理模块等应用，满足对能效和热性能有要求的电力电子设计方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IXFH34N65X3-HXY
商品编号: C51949356
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.786667克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

IXFH34N65X3采用超结技术设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。 IXFH34N65X3符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%雪崩耐量（EAS）保证
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅极超结技术

数据手册PDF

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