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IXFH34N65X3-HXY

采用超结技术的功率MOSFET，适用于AC - DC电源转换和工业电源应用

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描述: 本款N沟道场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可稳定工作于较高电压环境，适用于高压开关电路。其连续漏极电流（ID）可达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件在高耐压与低导通损耗之间实现良好平衡，适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备、高功率适配器及电力输送管理模块等应用，满足对能效和热性能有要求的电力电子设计方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IXFH34N65X3-HXY
商品编号: C51949356
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.786667克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

IXFH34N65X3采用超结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 IXFH34N65X3符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%雪崩耐量(EAS)保证
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅极超结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V