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NVHL095N65S3HF-HXY实物图
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NVHL095N65S3HF-HXY

NVHL095N65S3HF-HXY

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描述
该N沟道场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和43A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至75mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景,能够稳定应对较高的电压瞬变。低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热,提高整体能效。该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块,适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计,为复杂电路提供可靠的开关控制能力。
商品型号
NVHL095N65S3HF-HXY
商品编号
C51949357
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
8.78克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

NVHL095N65S3HF采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换及工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)需求。 NVHL095N65S3HF符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。

商品特性

  • 超低栅极电荷
  • 100%雪崩耐量保证
  • 提供绿色环保器件
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 先进的沟槽栅超级结技术

数据手册PDF