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NVHL095N65S3HF-HXY

采用超结技术的功率MOSFET，具备低栅极电荷和出色的RDS(ON)，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用

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描述: 该N沟道场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至75mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。650V的耐压水平使其适用于中高功率开关场景，能够稳定应对较高的电压瞬变。低RDON特性在大电流工作条件下可有效降低发热，提高整体能效。该器件适用于各类开关电源、DC-DC转换器、逆变设备及高效率功率控制模块，适合对功率密度和热性能有较高要求的工程设计，为复杂电路提供可靠的开关控制能力。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVHL095N65S3HF-HXY
商品编号: C51949357
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.78克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

NVHL095N65S3HF采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换及工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)需求。 NVHL095N65S3HF符合RoHS标准和绿色产品要求,100%经过雪崩耐量(EAS)测试,具备全面的功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%雪崩耐量保证
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅超级结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V