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IPW60R080P7-HXY
IPW60R080P7-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件结合了高耐压与低导通电阻的特性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用，满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。
- 商品型号
- IPW60R080P7-HXY
- 商品编号
- C51949355
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.76克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IPW60R080P7采用超级结技术设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 IPW60R080P7符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的沟槽栅极超级结技术