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IPW60R080P7-HXY

超结功率MOSFET，采用超结技术，低栅极电荷，适用于AC - DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用

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描述: 这是一款N沟道增强型功率场效应管，具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承受较高的电压应力，适用于高压开关场合。其连续漏极电流（ID）达43A，导通电阻（RDON）低至75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件结合了高耐压与低导通电阻的特性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、逆变电路及高效率功率开关模块等应用，满足对功率密度和热性能有要求的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPW60R080P7-HXY
商品编号: C51949355
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.76克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

IPW60R080P7采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 IPW60R080P7符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量耐量(EAS)测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%雪崩能量耐量(EAS)保证
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅极超级结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V