温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
R6547KNZ4C13-HXY
R6547KNZ4C13-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道场效应管具有650V漏源电压额定值（VDSS）和43A连续漏极电流能力，适用于高压与大电流切换应用。其75mΩ的低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件在高频率开关操作中表现出良好的电气稳定性与热性能，适合用于开关电源、DC-AC逆变器、电机控制电路及高效能电源转换模块。该MOSFET参数组合兼顾电压耐受性与电流承载能力，可支持对功率密度和效率要求较高的电路设计方案。
- 商品型号
- R6547KNZ4C13-HXY
- 商品编号
- C51949354
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.733333克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
R6547KNZ4C13采用超级结技术设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。 R6547KNZ4C13符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的沟槽栅超级结技术