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R6547KNZ4C13-HXY

超结功率MOSFET，采用超结技术，低栅极电荷，适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用

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描述: 该N沟道场效应管具有650V漏源电压额定值（VDSS）和43A连续漏极电流能力，适用于高压与大电流切换应用。其75mΩ的低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。器件在高频率开关操作中表现出良好的电气稳定性与热性能，适合用于开关电源、DC-AC逆变器、电机控制电路及高效能电源转换模块。该MOSFET参数组合兼顾电压耐受性与电流承载能力，可支持对功率密度和效率要求较高的电路设计方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: R6547KNZ4C13-HXY
商品编号: C51949354
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.733333克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

R6547KNZ4C13采用超级结技术设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 R6547KNZ4C13符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过全面功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅超级结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V