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NVHL082N65S3HF-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET具备650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID），适用于高压大电流开关应用。其导通电阻低至75mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件在高功率密度电源转换电路中表现稳定，常用于开关电源、DC-DC变换器、逆变装置及电机驱动电路。高耐压能力配合低RDS(on)特性，有助于减少发热并提高能效，适用于对热管理和电气性能有较高要求的场景，支持可靠、高效的长期运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVHL082N65S3HF-HXY
商品编号: C51949351
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.786667克(g)

商品参数

参数完善中

商品概述

NVHL082N65S3HF采用超级结技术设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。 NVHL082N65S3HF符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%保证抗雪崩能力（EAS）
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制
先进的沟槽栅极超级结技术

数据手册PDF

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