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2SK1971-E-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低栅极电荷和出色导通电阻
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有500V的漏源电压（VDSS）和28A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为150mΩ，适用于中高电压开关应用。其较高的耐压能力适合工作在高压电源环境中，能够有效支持开关电源中的功率控制需求。器件在快速开关过程中表现出良好的稳定性和较低的导通损耗，常用于反激式或正激式转换拓扑中，适用于高压直流变换、电源适配器、LED驱动电源及各类功率因数校正（PFC）电路，是高压功率开关应用中的典型选择。
- 商品型号
- 2SK1971-E-HXY
- 商品编号
- C51949348
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.742857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 312.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
2SK1971-E采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)性能。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 500 V,ID = 28 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 180 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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