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IXFH34N65X2-HXY

采用超结技术的功率MOSFET，适用于AC-DC电源转换和工业电源应用

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描述: 该N沟道场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID），适用于中高功率开关场景。其导通电阻（RDS(on)）低至75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，常用于交直流转换、直流电机驱动及功率因数校正等应用。高耐压与大电流能力结合较低的导通损耗，使其在持续负载条件下仍可保持稳定性能，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IXFH34N65X2-HXY
商品编号: C51949349
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.885714克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	75mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	470W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	84nC@10V

商品概述

IXFH34N65X2采用超级结技术设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。 IXFH34N65X2符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),并通过了全功能可靠性认证。

商品特性

超低栅极电荷
100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
提供绿色环保器件
出色的CdV/dt效应抑制能力
先进的沟槽栅极超级结技术

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	3.445nF
	反向传输电容(Crss)	0.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	独立式
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	134pF
	栅极电压(Vgs)	±30V