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IXFH34N65X2-HXY
IXFH34N65X2-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和43A的连续漏极电流（ID），适用于中高功率开关场景。其导通电阻（RDS(on)）低至75mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统整体能效。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，常用于交直流转换、直流电机驱动及功率因数校正等应用。高耐压与大电流能力结合较低的导通损耗，使其在持续负载条件下仍可保持稳定性能，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- IXFH34N65X2-HXY
- 商品编号
- C51949349
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.885714克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IXFH34N65X2采用超级结技术设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超级结MOSFET满足行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。 IXFH34N65X2符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的沟槽栅极超级结技术