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IAUC100N10S5L040-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道MOSFET具备100V漏源耐压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至3.6mΩ，可有效降低大电流工作下的功率损耗。其低导通电阻与高电流承载能力使其适用于高效率电源转换场景，如大功率同步整流、DC-DC变换器及电机驱动电路。器件在高负载条件下仍能保持良好热稳定性，适合对能效和功率密度有较高要求的设备，广泛用于各类高性能开关电源、储能系统及电力传输控制等应用场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IAUC100N10S5L040-HXY
商品编号: C51949347
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

IAUC100N10S5L040采用先进的SGT MOSFET技术,提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。