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FDMS86181E-HXY
FDMS86181E-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.6mΩ，在高电流开关应用中可有效减少传导损耗。其低RDSON特性有助于提升系统效率并降低温升，适用于对功率密度和能效要求较高的场景。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，广泛用于同步整流、DC-DC转换、电机驱动及高电流负载开关等应用，是高性能功率开关的理想选择之一。
- 商品型号
- FDMS86181E-HXY
- 商品编号
- C51949346
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FDMS86181E采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 120A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
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