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NTMFS005N10MCLT1G-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有85V漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4.3mΩ，可有效降低大电流条件下的导通损耗，提升系统能效。N沟道结构使其在低边开关应用中具备优异的开关性能与驱动兼容性。适用于高功率密度的直流电源系统、高效电压转换模块、大电流开关电路以及电池供电的高性能电子设备中的功率控制环节，可满足对热性能和电气性能要求较高的设计需求，尤其适合需要承载大电流并维持低功耗的场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS005N10MCLT1G-HXY
商品编号: C51949333
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.155克(g)

商品参数

NTMFS005N10MCLT1G采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。