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NTMFS005N10MCLT1G-HXY
NTMFS005N10MCLT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有85V漏源电压（VDSS）和高达100A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至4.3mΩ，可有效降低大电流条件下的导通损耗，提升系统能效。N沟道结构使其在低边开关应用中具备优异的开关性能与驱动兼容性。适用于高功率密度的直流电源系统、高效电压转换模块、大电流开关电路以及电池供电的高性能电子设备中的功率控制环节，可满足对热性能和电气性能要求较高的设计需求，尤其适合需要承载大电流并维持低功耗的场景。
- 商品型号
- NTMFS005N10MCLT1G-HXY
- 商品编号
- C51949333
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTMFS005N10MCLT1G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 85 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.6 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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