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IPD70N10S3-12-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和70A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至8.2mΩ，在高电流开关应用中可有效减少传导损耗。其低RDON特性有助于提升系统效率，降低温升，适用于对功率密度和能效要求较高的场合。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，广泛用于直流-直流转换、电机驱动控制及高密度电源模块等场景，是实现高效开关操作的典型选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD70N10S3-12-HXY
商品编号: C51949343
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.394克(g)

商品参数

IPD70N10S3 - 12采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。