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IPD70N10S3-12-HXY
IPD70N10S3-12-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V的漏源电压（VDSS）和70A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至8.2mΩ，在高电流开关应用中可有效减少传导损耗。其低RDON特性有助于提升系统效率，降低温升，适用于对功率密度和能效要求较高的场合。器件采用标准封装，便于集成于各类电源管理电路中，广泛用于直流-直流转换、电机驱动控制及高密度电源模块等场景，是实现高效开关操作的典型选择。
- 商品型号
- IPD70N10S3-12-HXY
- 商品编号
- C51949343
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
IPD70N10S3 - 12采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 70 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
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