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DI100N10PQ-HXY
DI100N10PQ-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高功率密度设计。器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块，可有效改善热性能与效率表现，是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。
- 商品型号
- DI100N10PQ-HXY
- 商品编号
- C51949344
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
DI100N10PQ采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 120A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
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