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DI100N10PQ-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻仅为3.6mΩ，显著降低导通损耗，提升系统整体能效。低RDON特性使其在大电流工作条件下仍能保持较低温升，适用于高功率密度设计。器件适用于各类高效开关电源、直流电机驱动、电池供电设备及大功率转换模块，可有效改善热性能与效率表现，是高性能功率开关应用中的典型场效应管解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI100N10PQ-HXY
商品编号: C51949344
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.143克(g)

商品参数

DI100N10PQ采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。