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FDBL86063-F085-HXY

Name: HXY MOSFET(华轩阳电子) FDBL86063-F085-HXY
Brand: HXY MOSFET(华轩阳电子)
SKU: C51949341
Price: 19.36 CNY
Availability: InStock

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具备100V漏源电压（VDSS）和高达300A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至2mΩ，显著降低大电流下的功率损耗。其优异的电学性能可支持高效率能量转换，适用于高功率密度的同步整流、电池供电系统及大电流直流开关电路。低RDON特性有助于减少发热，提升系统热稳定性，满足对电流承载能力和能效表现有严苛要求的应用场景，是处理极高电流负载的常用器件方案之一。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDBL86063-F085-HXY
商品编号: C51949341
商品封装: TOLL-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1.057895克(g)

商品参数

FDBL86063-F085采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。