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FDBL86063-F085-HXY实物图
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FDBL86063-F085-HXY

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描述
该N沟道场效应管具备100V漏源电压(VDSS)和高达300A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至2mΩ,显著降低大电流下的功率损耗。其优异的电学性能可支持高效率能量转换,适用于高功率密度的同步整流、电池供电系统及大电流直流开关电路。低RDON特性有助于减少发热,提升系统热稳定性,满足对电流承载能力和能效表现有严苛要求的应用场景,是处理极高电流负载的常用器件方案之一。
商品型号
FDBL86063-F085-HXY
商品编号
C51949341
商品封装
TOLL-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.057895克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

FDBL86063-F085采用先进的SGT MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为提高耐用性而设计。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100V
  • 漏极电流ID = 300A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 2.6 mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 电源分配

数据手册PDF