温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR668DP-T1-RE3-HXY
SIR668DP-T1-RE3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道场效应管具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为3.6mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。其低电阻特性在高电流工作条件下可减少发热，改善热管理。适用于大功率电源转换、高效率直流-直流变换器、电池管理系统及高电流开关电路。器件性能满足对功率密度和稳定性要求较高的应用需求，适合用于需要可靠控制和高效能量传输的电子系统中。
- 商品型号
- SIR668DP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C51949342
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
SIR668DP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 120 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 4.4 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- IPD70N10S3-12-HXY
- DI100N10PQ-HXY
- DMTH10H005SCT-HXY
- FDMS86181E-HXY
- IAUC100N10S5L040-HXY
- 2SK1971-E-HXY
- IXFH34N65X2-HXY
- NTHL082N65S3F-HXY
- NVHL082N65S3HF-HXY
- NVHL095N65S3F-HXY
- NTHL095N65S3HF-HXY
- R6547KNZ4C13-HXY
- IPW60R080P7-HXY
- IXFH34N65X3-HXY
- NVHL095N65S3HF-HXY
- SPW35N60C3-HXY
- SI3441DV-HXY
- NVMFS6B05NLT1G-HXY
- IPT022N10NF2SATMA1-HXY
- DMP2037U-13-HXY
- HXYG350N10L