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SIR668DP-T1-RE3-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为3.6mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体能效。其低电阻特性在高电流工作条件下可减少发热，改善热管理。适用于大功率电源转换、高效率直流-直流变换器、电池管理系统及高电流开关电路。器件性能满足对功率密度和稳定性要求较高的应用需求，适合用于需要可靠控制和高效能量传输的电子系统中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIR668DP-T1-RE3-HXY
商品编号: C51949342
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.144克(g)

商品参数

SIR668DP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性和适用性。